Кремниевые транзисторы

Прибор	Характеристики	Информация
Транзистор КТ541А Уточнить цену	Транзистор КТ541А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в выходных каскадах видеоусилителей цветных телевизоров, мониторов и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Транзистор КТ538А Уточнить цену	Транзистор КТ538А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в преобразователях напряжения и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Транзистор КТ521Б Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы КТ521Б предназначены для использования в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Транзистор КТ521А Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы КТ521А предназначены для использования в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Транзистор КТ520Б Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы КТ520Б предназначены для использования в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Транзистор КТ520А Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы КТ520А предназначены для использования в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Транзистор КТ503Е Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Е предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Транзистор КТ503Д Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Д предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Транзистор КТ503Г Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Г предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Транзистор КТ503В Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503В предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание

Кремниевые транзисторы

Страницы