Кремниевые транзисторы
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ939А в металлическом корпусе предназначен для использования в схемах с повышенными требованиями к нелинейным искажениям. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916Б в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916А в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ872А предназначены для применения в блоках питания, в схемах строчной развертки телевизионных приемников, узлах и блоках аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзисторы КТ8301А-5 кремниевые, бескорпусные, эпитаксиально-планарные, n-p-n, мощные, с демпферным диодом, с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов, предназначенные для применения в импульсных и ключевых схемах регуляторов напряжения и других приборах широкого применения, в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защи |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ8255А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в линейных и ключевых схемах преобразователей напряжения и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ8248А (КТ8248А1 с демпфирующим диодом и резистором в цепи эмиттер-база) предназначены для применения в высоковольтных ключевых схемах телевизионных приемников, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ8230А предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ8229А предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ8224А (КТ8224Б с интегральным демпфирующим диодом и резистором) предназначены для применения в высоковольтных ключевых схемах телевизионных приемников, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »