Диоды

Прибор	Характеристики	Информация
Диоды Шоттке КДШ2161БС, КДШ2161БС9, КДШ2161Б-5 Уточнить цену	Сборки диодные КДШ2161БС, КДШ2161БС9, КДШ2161Б-5 с общим катодом, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки, выполненные в пластмассовых корпусах и предназначенные для использования в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и других схемах общего применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Диоды Шоттке КДШ2140А-5, КДШ2140Б-5, КДШ2140В-5 Уточнить цену	Диоды КДШ2140А-5, КДШ2140Б-5, КДШ2140В-5 кремниевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов, поставляемые на общей пластине (неразделенные) или разделенные упакованные в специальную тару, предназначенны для использования в гибридных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Диоды Шоттке КДШ2122А-5 Уточнить цену	Диоды КДШ2122А-5 бескорпусные кремниевые планарные (с барьером Шоттки) с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов (кристалл), поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначенные для использования в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок (ГС), а также для сборки дискретных приборов (с общей герметизацией или иной защитой от воздействия солн	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Диоды Шоттке КДШ2114АС9, КДШ2114БС9, КДШ2114ВС9 Уточнить цену	Наборы мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки КДШ2114АС9, КДШ2114БС9, КДШ2114ВС9 предназначены для использования в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей, преобразователях напряжения и других блоках, и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Диоды Шоттке КДШ2105В Уточнить цену	Мощный кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки КДШ2105В предназначен для использования в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей, преобразователях напряжения и других блоках, и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Диоды Шоттке КДШ2104А-5, КДШ2104Б-5, КДШ2104В-5 Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки КДШ2104А-5, КДШ2104Б-5, КДШ2104В-5 предназначены для использования в гибридных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Диоды Шоттке КДШ2103А-5, КДШ2103Б-5, КДШ2103В-5 Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки КДШ2103А-5, КДШ2103Б-5, КДШ2103В-5 предназначены для использования в гибридных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Диоды Шоттке КДШ2102А-5, КДШ2102Б-5, КДШ2102В-5 Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки КДШ2102А-5, КДШ2102Б-5, КДШ2102В-5 предназначены для использования в гибридных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Диоды Шоттке КДШ2101А-5, КДШ2101Б-5, КДШ2101В-5 Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки КДШ2101А-5, КДШ2101Б-5, КДШ2101В-5 предназначены для использования в гибрилных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Диоды Шоттке КДШ143А9, КДШ143АС9 Уточнить цену	Кремниевый эпитаксиально-планарный диод Шоттки КДШ143А9 и сборка кремниевых эпитаксиально- планарных диодов Шоттки КДШ143АС9 с повышенной максимальной рабочей температурой предназначены для использования в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, генераторах, детекторах и других узлах и блоках телекоммуникационной аппаратуры.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание

Диоды

Страницы