Диоды
Прибор | Характеристики | Информация | |||
---|---|---|---|---|---|
Матрицы диодные Y27.340.010 ТУ применяются для защиты сверх высокочувствительных изделий микроэлектроники по цепям питания от напряжений и статического электричества. Устройства выполнены на арсениде галлия и представляют собой комбинацию определенным образом включенных диодов с барьером Шоттки. |
Цена: по запросу
|
||||
Диодная сборка 2ДШ2121АС/ИМ двух кремниевых эпитаксиально–планарных кристаллов диодов с барьером Шоттки с общим катодом. Предназначена для использования в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, генераторах, детекторах, пускорегулирующих устройствах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Категория качества ВП. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
||||
Диодная сборка "2ДШ2121А-5/ИМ" двух кремниевых эпитаксиально–планарных кристаллов диодов с барьером Шоттки с общим катодом. Предназначена для использования в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, генераторах, детекторах, пускорегулирующих устройствах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Категория качества ВП. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
||||
Кремниевый эпитаксиально-планарные диод "2ДШ142А9" с барьером Шоттки. Предназначен для использования в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, генераторах, детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Ближайший функциональный аналог: HSMS2800 для 2ДШ142А9. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
||||
Кремниевые мощные выпрямительно-ограничительные диоды "КД2972" (диоды Зенера) предназначены для защиты от кондуктивных помех по цепям питания бортовой сети автомобилей, выпрямления тока и ограничения напряжения в автомобильных генераторах и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Диапазон рабочей температуры от - 60 до + 125С. Обозначение технических условий АДБК.432120.844 ТУ. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
||||
Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2ДС628А в металлокерамическом корпусе, предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур: от - 60 до + 125 C. Обозначение технических условий: дР3.454.001 ТУ. Корпусное исполнение: металлокерамический корпус 402.12-2. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
||||
Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2ДС627А в металлокерамическом корпусе, предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур: от - 60 до + 125 C. Обозначение технических условий: дР3.454.000 ТУ. Корпусное исполнение: металлокерамический корпус 401.16-3. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
||||
Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) "2Д917А" предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 C.Обозначение технических условий - дР3.362.027 ТУ. Корпусное исполнение металлостеклянный корпус 4112.12-1. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
||||
Импульсные диоды предназначены для работы в импульсных и выпрямительных схемах ТВ приёмников.
|
Цена: по запросу
|
||||
Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) КДС628А в металлокерамическом корпусе, предназначенная для работы в аппаратуре, изготавливаемой для нужд народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- следующая ›
- последняя »